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SLM2001S

200V低压驱动芯片（piàn）

样（yàng）片（piàn）申（shēn）请

SLM2001S Datasheet

产品概述

产品特（tè）性

安规认证

典型应用图

产品概述

SLM2001S是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱（qū）动器。采用专有的高（gāo）压集成电（diàn）路和（hé）锁存免疫的CMOS技术可提供可靠（kào）的单芯片驱（qū）动方（fāng）案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持（chí）3.3V逻辑。输出驱（qū）动器具有高脉冲（chōng）电流缓（huǎn）冲级，以减小驱动器交叉导通。浮动通道（dào）可用于驱动（dòng）高边（biān）配置（zhì）的N型沟（gōu）道功率MOSFET或IGBT，工作电压（yā）可高达200V。

产品特（tè）性

为（wéi）自举操作设计的浮动（dòng）通道

完全运行时电压高达 200V

容许瞬间（jiān）负电（diàn）压，不（bú）受 dV/dt 影响

驱动（dòng）电源范（fàn）围从 10V 到（dào） 20V

欠压闭锁

3.3V、5V 和 15V 逻辑输（shū）入兼（jiān）容

驱动电（diàn）流：290 mA/600 mA

防止交叉导（dǎo）通（tōng）逻辑

两通（tōng）道（dào）间匹配传输延迟（chí）

输出信号与输入信号同相

通过无铅认证