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SLM2003E

200V低压驱动芯片

样片申请

SLM2003E Datasheet

产品概述

产品（pǐn）特性

安规认证（zhèng）

典型（xíng）应用图

产品概述

SLM2003E 是（shì）一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱（qū）动（dòng）器。采用专有的高（gāo）压集成电路和锁存免（miǎn）疫的CMOS技术可（kě）提供可靠的单芯片（piàn）驱动方案。逻辑输（shū）入电平与标准CMOS或LSTTL输（shū）出兼（jiān）容，最低支持3.3V逻辑。输出（chū）驱动器具有高脉冲电流缓冲（chōng）级（jí），以减小（xiǎo）驱动（dòng）器（qì）交叉导通（tōng）。浮动（dòng）通道可用于驱动高（gāo）边配置的（de）N型沟道功率MOSFET或IGBT，工（gōng）作电压（yā）可高达200V。

产品特性（xìng）

为自举操作设计的浮动通道

完全运行时电压高达 200V

容许瞬间负电压，不（bú）受 dV/dt 影响

驱动电源范围从（cóng） 10V 到（dào） 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 和 10V 逻辑输入兼容

驱动电流：290 mA/600 mA

防止交叉导通（tōng）逻辑（jí）

两通道间匹配传输延迟

输出信号与输入信号同相

通过无（wú）铅认（rèn）证