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SLM2005E

200V低压驱动芯片

样片申请

SLM2005E Datasheet

产品概述

产（chǎn）品特性（xìng）

安（ān）规（guī）认证

典型应用图

产品概述（shù）

SLM2005E 是一（yī）款高压（yā）、高速的功（gōng）率MOSFET和IGBT驱（qū）动器（qì）。采用（yòng）专有的高（gāo）压集成电路和锁存免疫（yì）的CMOS技术可提供可靠的单芯片（piàn）驱动方（fāng）案（àn）。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器（qì）交叉导通（tōng）。浮动（dòng）通道可用（yòng）于驱动（dòng）高边配置的N型沟道（dào）功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。

产品特性

为自（zì）举操作设（shè）计的浮动通道

完（wán）全运（yùn）行时电压高达 200V

容许瞬间负（fù）电压，不受 dV/dt 影响

驱动（dòng）电源范围从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 和 10V 逻辑输入兼容

驱（qū）动电流：1A/1.5A

防止（zhǐ）交（jiāo）叉导（dǎo）通逻辑

两通道间匹配传（chuán）输延迟

输出信号与输入信号（hào）同相（xiàng）

通过无铅认证