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SLM2005S

200V低压驱动芯片

样（yàng）片申请

SLM2005S Datasheet

产品概述

产品特性

安规认证

典型应用图（tú）

产品概述

SLM2005S 是一款高压（yā）、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采用（yòng）专有的高压集成电（diàn）路和锁存免疫（yì）的CMOS技术可（kě）提供可靠（kào）的单芯片（piàn）驱动方案。逻辑输入（rù）电平与（yǔ）标（biāo）准（zhǔn）CMOS或LSTTL输出（chū）兼（jiān）容，最低支持3.3V逻辑。输出驱（qū）动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动（dòng）器交叉导通。浮（fú）动通道（dào）可用（yòng）于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高（gāo）达200V。

产品特性

为自举（jǔ）操作设计的浮动通道

完全运行时电压高达 200V

容（róng）许瞬（shùn）间负电压，不受 dV/dt 影响

驱动电（diàn）源范围从 10V 到（dào） 20V

欠压闭（bì）锁

3.3V、5V 和 15V 逻辑输（shū）入兼容

驱（qū）动电（diàn）流（liú）：290 mA/600 mA

防（fáng）止交叉导通逻辑

两通（tōng）道间匹配（pèi）传输延（yán）迟

输出信号与输入信号同相

通（tōng）过无铅认证