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SLM2015

160V低压驱动（dòng）芯（xīn）片

样片申请

SLM2015 Datasheet

产（chǎn）品概述

产品（pǐn）特性

安规认证

典型应用图

产品概述

SLM2015 是一款高压、高速的功率MOSFET和（hé）IGBT驱动器。采用专有（yǒu）的高（gāo）压（yā）集成（chéng）电路和锁存（cún）免疫的CMOS技术可提供可靠（kào）的单芯片驱（qū）动（dòng）方案。逻辑输入电（diàn）平与标准CMOS或LSTTL输出兼（jiān）容（róng），最（zuì）低支持3.3V逻辑。输出驱（qū）动器具有高脉（mò）冲电流缓冲（chōng）级，以减小（xiǎo）驱动器交叉导通。浮动（dòng）通道（dào）可用于驱动高边配置的（de）N型沟（gōu）道（dào）功率MOSFET或IGBT，工作（zuò）电压可高达200V。

产品特性

为自举操作（zuò）设计的浮（fú）动通（tōng）道

完全运（yùn）行时电（diàn）压（yā）高达（dá） 200V

容许瞬（shùn）间负电压，不受 dV/dt 影响

驱动电源（yuán）范（fàn）围从 10V 到（dào） 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 逻辑输入兼容

驱动电流：1A/1.5A

防止交叉导通逻辑

两（liǎng）通（tōng）道间匹配传输延迟

输出信（xìn）号（hào）与输入信号同相

通过无铅认证