SLM21867是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱（qū）动器，它提供独（dú）立（lì）的高边（biān）、低边（biān）输出驱动信号。采用专有的高压集（jí）成电路和锁存免疫（yì）CMOS技术，提（tí）供可靠的单（dān）芯片（piàn）驱动方案（àn）。逻辑输入电（diàn）平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动（dòng）器（qì）具有高脉冲（chōng）电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通。延（yán）时（shí）匹（pǐ）配很方（fāng）便应（yīng）用于高频设备。浮（fú）动通道（dào）可用于驱动高边（biān）配（pèi）置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作（zuò）电压（yā）可（kě）高达600V。
为自举供电设计的浮动通道
全电压范围运（yùn）行达（dá）600V
低VCC工作范围
允许（xǔ）瞬态负电压（yā），不受dV/dt影响
驱（qū）动电源范围从7V到20V
欠压（yā）闭锁
3.3V、5V逻辑兼容
输入有（yǒu）下拉（lā）电阻（zǔ）的COMS斯密（mì）特触发（fā）器
两通道间匹配传（chuán）输延时
输入输出（chū）同相
典（diǎn）型开通/关断延时：170ns/170ns
典型驱动电流：2.5A/3.5A
400 080 9938
