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SiLM27511H

单通道 20V, 4A/5A 高欠压保（bǎo）护低边门极驱（qū）动器（qì）

样片申请

SiLM27511H Datasheet SiLM27511H-AQ Datasheet SiLM27511HCJ-AQ Datasheet

产（chǎn）品概述

产品特性

安规认证

典型应用图

产（chǎn）品（pǐn）概述

SiLM27511H系列是单通道高欠压（yā）保护低边门极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT等功率开关。SiLM27511H 采用一种能够从内部（bù）极大（dà）的（de）降低直通（tōng）电流的设（shè）计，将高峰值的源电（diàn）流（liú）和灌电（diàn）流脉冲提（tí）供（gòng）给电容负载，以（yǐ）实现轨到（dào）轨（guǐ）的驱动能力和典型值仅为 18ns 的极小传（chuán）播延迟。

SiLM27511H 在 15V 的 VDD 供电情况下，能够（gòu）提供 4A 的峰值源电流和 5A 的峰值灌电流（liú）。SiLM27511H 欠（qiàn）压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V。

产品特性（xìng）

低成本的门极驱动方案可用于替代 NPN和 PNP 分离器件方案

4A的峰值源电流（liú）和 5A 的（de）峰值灌电（diàn）流能力

快（kuài）速的传播（bō）延时（典型值为（wéi） 18ns）

快速的上升和（hé）下降时（shí）间（典型值为 9ns/6ns）

13.5V 到（dào） 20V 的（de）单电源（yuán）范围

SiLM27511H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V

兼容 TTL 和（hé） CMOS 的输入逻辑（jí）电压（yā）阈值

双输入设计(可选择反相或非反相驱动配（pèi）置)

输入浮（fú）空（kōng）时输出保持为低

工（gōng）作温度范（fàn）围为 -40°C 到 140°C