SiLM27512器件是单通道高速低边门极驱动器，可有（yǒu）效驱动MOSFET和（hé）IGBT等功（gōng）率开关（guān）。SiLM27512采（cǎi）用（yòng）一种能够从内部（bù）极大的（de）降低直（zhí）通电流的设计，将高峰值的源电流（liú）和灌电流脉冲提供给电（diàn）容负（fù）载，以实现轨到轨的驱（qū）动（dòng）能力和典型值仅为 18ns 的极小传播（bō）延（yán）迟。
SiLM27512在12V的VDD供电（diàn）情况下，能够提供4A的峰值源电流和5A的峰值灌电流。
低（dī）成（chéng）本的（de）门极驱动方案可用于替代 NPN和 PNP 分离器件方案
4A 的峰值源电（diàn）流（liú）和5A的峰（fēng）值灌电流能（néng）力
快速（sù）的（de）传输延时（典型值为 18ns）
快速的上升和下降时间（典型值（zhí）为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的单电源范围（wéi）
VDD 欠压闭锁功能
兼容（róng） TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压阈值（zhí）
双（shuāng）输入设计(可选择反相或非反相驱（qū）动（dòng）配置（zhì）)
输入浮空时输出保持为（wéi）低
工作温度范围为 -40°C 到140°C
提（tí）供DFN3x3-6 的封装选项
400 080 9938
