2021年8月26日（rì），米兰官方站网页版和数明半导体将参加由（yóu）Aspencore在（zài）深圳圣淘沙酒店主办的电（diàn）机（jī）驱动（dòng）与控制论坛（tán）。本次会议特（tè）邀多位原（yuán）厂专家亲临现场，探（tàn）讨电机驱动技（jì）术的发展趋势并（bìng）解（jiě）析各（gè）种控（kòng）制技术（shù）演进。

在会议现场，米兰官方站网页版和数明半导体FAE总监——卢祥超（chāo）先生将（jiāng）进行《利用（yòng）非隔离半桥提升电机驱动（dòng）系（xì）统的可靠（kào）性》主题演讲。除技术演（yǎn）讲外，数（shù）明半导体还将在现场重点展示『120V 集成自（zì）举二极管的（de）高频高（gāo）低（dī）边驱动（dòng）器 SLM27211』。

高频N沟道MOSFET驱动器SLM27211在片（piàn）内集成了一个额（é）定电压为 120V 的自举二极（jí）管（guǎn），因此无需采用外（wài）部分（fèn）立式二极管。高侧和低侧（cè）驱动器均（jun1）配（pèi）有欠压锁定功（gōng）能，可提供对（duì）称的（de）导通和关断行为，并且能够在驱动（dòng）电压（yā）低于指（zhǐ）定阈（yù）值时将输出（chū）强制为（wéi）低电平（píng）。

◆ 3.5A/4A 的驱动能力（lì）

◆ 22nS延迟时间

◆ 工作电压8V-17V

◆ 输入（rù）支持TTL和（hé）CMOS逻辑

◆ 输入可（kě）耐受-5V

◆ 欠压保护（hù）

◆ 工作温度范围：-40℃-125℃